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国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺
[版面:军事天地][首篇作者:foofy] , 2020年05月22日07:33:26 ,1060次阅读,0次回复
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发信人: foofy (不才), 信区: Military
标  题: 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺
发信站: BBS 未名空间站 (Fri May 22 07:33:26 2020, 美东)

https://news.mydrivers.com/1/690/690764.htm

打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

2020-05-22 19:11:15  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   人气: 660 次   
评论(4)
美国日本光刻胶
作为半导体卡脖子的技术之一,很多人只知道光刻机,却不知道光刻胶的重要性,这个
市场也是被日本及美国公司垄断,TOP5厂商占了全球85%的份额。
国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中,能做到G 线(436nm)、I 线 (365nm)
水平,目前主要在用的ArF光刻胶还是靠进口,EUV光刻胶目前还没有公司能生产,基本
上都控制在日本公司手中。
不过EUV光刻胶也不是急需的,因为国内目前还没有EUV工艺量产,193nm的ArF光刻胶更
加重要,目前国内有多家公司正在公关中,这种光刻胶可以用于28nm到7nm工艺的先进
工艺。
今天,南大光电在互动平台表示,公司的ArF光刻胶正在按计划进行客户测试,这意味
着国内的ArF光刻胶技术取得了重要突破,从研发开始走向生产。
根据南大光电公司之前的 消息,公司于2017年开始研发“193nm 光刻胶项目”,已获
得国家“02 专项”的相关项目立项,公司计划通过3年的建设、投产及实现销售,达到
年产25吨 193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,产品将满足集成电路行
业需求标准。
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